國產(chǎn)基本?（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET在新能源汽車e-Compressor電動壓縮機的應(yīng)用-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

適用于新能源汽車e-Compressor電動壓縮機的國產(chǎn)基本?（BASiC Semiconductor）第二代碳化硅MOSFET-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！

基本?（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色：

1.出類拔萃的可靠性：相對競品較為充足的設(shè)計余量來確保大規(guī)模制造時的器件可靠性。

基本?（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實測在1700V左右，高于市面主流競品，擊穿電壓BV設(shè)計余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動，能夠確保大批量制造時的器件可靠性，這是基本?（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET最關(guān)鍵的品質(zhì). 基本?（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相對較高，也增強了在電力電子系統(tǒng)應(yīng)用中的可靠性。

2.可圈可點的器件性能：同規(guī)格較小的Crss帶來出色的開關(guān)性能。

基本?（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競品中是比較小的，帶來關(guān)斷損耗Eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的，優(yōu)于部分海外競品，特別適用于LLC應(yīng)用，典型應(yīng)用如充電樁電源模塊后級DC-DC應(yīng)用。

Ciss：輸入電容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ?柵極-漏極和柵極-源極電容之和：它影響延遲時間；Ciss越大，延遲時間越長?；?（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET 優(yōu)于主流競品。

Crss：反向傳輸電容（Crss＝Cgd） ?柵極-漏極電容：Crss越小，漏極電流上升特性越好，這有利于MOSFET的損耗，在開關(guān)過程中對切換時間起決定作用，高速驅(qū)動需要低Crss。

Coss：輸出電容（Coss＝Cgd＋Cds）?柵極-漏極和漏極-源極電容之和：它影響關(guān)斷特性和輕載時的損耗。如果Coss較大，關(guān)斷dv／dt減小，這有利于噪聲。但輕載時的損耗增加。

基本?B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：

? 比導(dǎo)通電阻降低40%左右

? Qg降低了60%左右

? 開關(guān)損耗降低了約30%

? 降低Coss參數(shù)，更適合軟開關(guān)

? 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串擾行為下誤導(dǎo)通風(fēng)險

? 最大工作結(jié)溫175℃? HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結(jié)溫Tj=175℃通過測試

? 優(yōu)化柵氧工藝，提高可靠性

? 高可靠性鈍化工藝

? 優(yōu)化終端環(huán)設(shè)計，降低高溫漏電流

? AEC-Q101

新能源汽車采用電動壓縮機驅(qū)動空調(diào)制冷。由于純電動汽車沒有發(fā)動機，壓縮機需要靠電力驅(qū)動，電動壓縮機比傳統(tǒng)壓縮機多出了驅(qū)動電機、控制器等結(jié)構(gòu)?？照{(diào)制熱方面，燃油汽車空調(diào)可借助發(fā)動機的動力和余熱。而新能源汽車沒有多余的熱量，制熱通常是使用 PTC 加熱器或熱泵空調(diào)。PTC 加熱器是新能源汽車的傳統(tǒng)加熱方法，由于耗電量大，有被熱泵空調(diào)逐漸取代的趨勢。

熱泵空調(diào)電動壓縮機控制器主要使用的功率器件是硅IGBT,但硅IGBT在高壓情況下的損耗遠大于國產(chǎn)基本?（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET，提升電動壓縮機控制器PCBA的生產(chǎn)效率和良率，適合尤其是壓縮機工作在輕載工況下,控制器中國產(chǎn)基本?（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET的損耗可降低至硅IGBT方案的一半以下?而車用空調(diào)壓縮機通常工作在輕載工況下,可以極大發(fā)揮國產(chǎn)基本?（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET的優(yōu)勢,從而減少空調(diào)熱泵系統(tǒng)的損耗,有利于電動汽車的熱管理,降低整車電能的消耗,提高新能源汽車的續(xù)航能力?

電動汽車熱管理800V高壓充電平臺的國產(chǎn)基本?（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET和硅IGBT,對比兩者間的器件開關(guān)損耗?國產(chǎn)基本?（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET使用在壓縮機控制器上提高了壓縮機的效率,有利于電動汽車的熱管理?傳統(tǒng)的1200V硅IGBT方案由于開關(guān)損耗較大,散熱問題嚴重,因此一般限制在15kHz以內(nèi)?采用國產(chǎn)基本?（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET方案后,可以通過提升逆變器開關(guān)頻率,以減小輸出電流的總諧波畸變率,從而減小壓縮機的諧波損耗,提升壓縮機的效率,進一步提高空調(diào)熱泵系統(tǒng)的效率,更有利于電動汽車空調(diào)熱管理?

隨著國產(chǎn)基本?（BASiC Semiconductor）等等一些SiC碳化硅功率器件供應(yīng)商的爆發(fā)式增長，產(chǎn)能的增加將同步大幅降低成本，SiC MOSFET在熱泵空調(diào)中的應(yīng)用將提高電動汽車冬季續(xù)航里程，緩解續(xù)航里程解決了用戶的焦慮，在傳統(tǒng)暖通空調(diào)的應(yīng)用中，將顯著提升暖通空調(diào)的性能和效率，減少系統(tǒng)的發(fā)熱量和用電量，為踐行節(jié)能減排戰(zhàn)略目標提供新途徑。

傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國產(chǎn)車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET，國產(chǎn)車規(guī)級AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET，國產(chǎn)車規(guī)級PPAP碳化硅(SiC)MOSFET，基本?全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，F(xiàn)ull SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC)，空調(diào)熱泵驅(qū)動，機車輔助電源，儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機，超高頻伺服驅(qū)動器，高速電機變頻器等，光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module，儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲碳化硅MOSFET。專業(yè)分銷基本?SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件，全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展！

汽車級全碳化硅功率模塊是基本?（BASiC Semiconductor）為新能源汽車主逆變器應(yīng)用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產(chǎn)品，包括Pcore?6?汽車級HPD模塊、?Pcore?2?汽車級DCM模塊、?Pcore?1?汽車級TPAK模塊、Pcore?2?汽車級ED3模塊等，采用銀燒結(jié)技術(shù)等基本?（BASiC Semiconductor）最新的碳化硅 MOSFET 設(shè)計生產(chǎn)工藝，綜合性能達到國際先進水平，通過提升動力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率，進而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程。主要產(chǎn)品規(guī)格有：BMS800R12HWC4_B02，BMS600R12HWC4_B01，BMS950R12HWC4_B02，BMS700R12HWC4_B01，BMS800R12HLWC4_B02，BMS600R12HLWC4_B01，BMS950R12HLWC4_B02，BMS700R12HLWC4_B01，BMF800R12FC4，BMF600R12FC4，BMF950R08FC4，BMF700R08FC4，BMZ200R12TC4，BMZ250R08TC4

傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本?（BASiC Semiconductor）碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道碳化硅(SiC)MOSFET專用隔離驅(qū)動芯片BTD25350，原方帶死區(qū)時間設(shè)置，副方帶米勒鉗位功能，為碳化硅功率器件SiC MOSFET驅(qū)動而優(yōu)化。

BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應(yīng)用場景：

充電樁中后級LLC用SiC MOSFET 方案

光伏儲能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案

高頻APF，用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案

空調(diào)壓縮機三相全橋SiC MOSFET方案

OBC后級LLC中的SIC MOSFET方案

服務(wù)器交流側(cè)圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案

碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設(shè)計快速開關(guān)單極型器件，替代升級雙極型 IGBT  （絕緣柵雙極晶體管）開關(guān)。碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的開關(guān)頻率、更少的散熱和節(jié)省空間——這些好處反過來也降低了總體系統(tǒng)成本。SiC-MOSFET的Vd-Id特性的導(dǎo)通電阻特性呈線性變化，在低電流時SiC-MOSFET比IGBT具有優(yōu)勢。

與IGBT相比，SiC-MOSFET的開關(guān)損耗可以大幅降低。采用硅 IGBT 的電力電子裝置有時不得不使用三電平拓撲來優(yōu)化效率。當改用碳化硅 (SiC) MOSFET時，可以使用簡單的兩級拓撲。因此所需的功率元件數(shù)量實際上減少了一半。這不僅可以降低成本，還可以減少可能發(fā)生故障的組件數(shù)量。SiC MOSFET 不斷改進，并越來越多地加速替代以 Si IGBT 為主的應(yīng)用。 SiC MOSFET 幾乎可用于目前使用 Si IGBT 的任何需要更高效率和更高工作頻率的應(yīng)用。這些應(yīng)用范圍廣泛，從太陽能和風(fēng)能逆變器和電機驅(qū)動到感應(yīng)加熱系統(tǒng)和高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。

隨著自動化制造、電動汽車、先進建筑系統(tǒng)和智能電器等行業(yè)的發(fā)展，對增強這些機電設(shè)備的控制、效率和功能的需求也在增長。碳化硅 MOSFET (SiC MOSFET) 的突破重新定義了歷史上使用硅 IGBT (Si IGBT) 進行功率逆變的電動機的功能。這項創(chuàng)新擴展了幾乎每個行業(yè)的電機驅(qū)動應(yīng)用的能力。Si IGBT 因其高電流處理能力、快速開關(guān)速度和低成本而歷來用于直流至交流電機驅(qū)動應(yīng)用。最重要的是，Si IGBT 具有高額定電壓、低電壓降、低電導(dǎo)損耗和熱阻抗，使其成為制造系統(tǒng)等高功率電機驅(qū)動應(yīng)用的明顯選擇。然而，Si IGBT 的一個顯著缺點是它們非常容易受到熱失控的影響。當器件溫度不受控制地升高時，就會發(fā)生熱失控，導(dǎo)致器件發(fā)生故障并最終失效。在高電流、電壓和工作條件常見的電機驅(qū)動應(yīng)用中，例如電動汽車或制造業(yè)，熱失控可能是一個重大的設(shè)計風(fēng)險。

電力電子轉(zhuǎn)換器提高開關(guān)頻率一直是研發(fā)索所追求的方向，因為相關(guān)組件（特別是磁性元件）可以更小，從而產(chǎn)生小型化優(yōu)勢并節(jié)省成本。然而，所有器件的開關(guān)損耗都與頻率成正比。IGBT 由于“拖尾電流”以及較高的門極電容的充電/放電造成的功率損耗，IGBT 很少在 20KHz 以上運行。SiC MOSFET在更快的開關(guān)速度和更低的功率損耗方面提供了巨大的優(yōu)勢。IGBT 經(jīng)過多年的高度改進，使得實現(xiàn)性能顯著改進變得越來越具有挑戰(zhàn)性。例如，很難降低總體功率損耗，因為在傳統(tǒng)的 IGBT 設(shè)計中，降低傳導(dǎo)損耗通常會導(dǎo)致開關(guān)損耗增加。

作為應(yīng)對這一設(shè)計挑戰(zhàn)的解決方案，SiC MOSFET 具有更強的抗熱失控能力。碳化硅 的導(dǎo)熱性更好，可以實現(xiàn)更好的設(shè)備級散熱和穩(wěn)定的工作溫度。SiC MOSFET 更適合較溫暖的環(huán)境條件空間，例如汽車和工業(yè)應(yīng)用。此外，鑒于其導(dǎo)熱性，SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統(tǒng)的需求，從而有可能減小總體系統(tǒng)尺寸并降低系統(tǒng)成本。

由于 SiC MOSFET 的工作開關(guān)頻率比 Si IGBT 高得多，因此它們非常適合需要精確電機控制的應(yīng)用。高開關(guān)頻率在自動化制造中至關(guān)重要，高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。此外，與 Si IGBT 電機驅(qū)動器系統(tǒng)相比，SiC MOSFET 的一個顯著優(yōu)勢是它們能夠嵌入電機組件中，電機控制器和逆變器嵌入與電機相同的外殼內(nèi)。使用SiC MOSFET 作為變頻器或者伺服驅(qū)動功率開關(guān)器件的另一個優(yōu)點是，由于 MOSFET 的線性損耗與負載電流的關(guān)系，它可以在所有功率級別保持效率曲線“平坦”。SiC MOSFET變頻伺服驅(qū)動器的柵極電阻的選擇是為了首先避免使用外部輸出濾波器，以保護電機免受高 dv/dt 的影響（只有電機電纜長度才會衰減 dv/dt）。 SiC MOSFET變頻伺服驅(qū)動器相較于IGBT變頻伺服驅(qū)動器在高開關(guān)頻率下的巨大效率優(yōu)越性.

盡管 SiC MOSFET 本身成本較高，但某些應(yīng)用可能會看到整個電機驅(qū)動器系統(tǒng)的價格下降（通過減少布線、無源元件、熱管理等），并且與 Si IGBT 系統(tǒng)相比總體上可能更便宜。這種成本節(jié)省可能需要在兩個應(yīng)用系統(tǒng)之間進行復(fù)雜的設(shè)計和成本研究分析，但可能會提高效率并節(jié)省成本?；?SiC 的逆變器使電壓高達 800 V 的電氣系統(tǒng)能夠顯著延長電動汽車續(xù)航里程并將充電時間縮短一半。

碳化硅 (SiC) MOSFET功率半導(dǎo)體技術(shù)代表了電力電子領(lǐng)域的根本性變革。SiC MOSFET 的價格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 貴。然而，在評估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整體電力電子系統(tǒng)價值時，需要考慮整個電力電子系統(tǒng)和節(jié)能潛力。需要仔細考慮以下電力電子系統(tǒng)節(jié)省： 第一降低無源元件成本，無源功率元件的成本在總體BOM成本中占主導(dǎo)地位。提高開關(guān)頻率提供了一種減小這些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散熱要求，使用碳化硅 (SiC) MOSFET可顯著降低散熱器溫度高達 50%，從而縮小散熱器尺寸和/或消除風(fēng)扇，從而降低設(shè)備生命周期內(nèi)的能源成本。 通常的誘惑是在計算價值主張時僅考慮系統(tǒng)的組件和制造成本。在考慮碳化硅 (SiC) MOSFET的在電力電子系統(tǒng)里的價值時，考慮節(jié)能非常重要。在電力電子設(shè)備的整個生命周期內(nèi)節(jié)省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET價值主張的一個重要部分。