BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半導體碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本半導體單管IGBT，BASiC基本半導體IGBT模塊，BASiC基本半導體三電平IGBT模塊，BASiC基本半導體I型三電平IGBT模塊，BASiC基本半導體T型三電平IGBT模塊，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊，單通道隔離驅(qū)動芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動芯片（帶VCE保護）BTD3011,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲一體機，儲能變流器，儲能PCS,雙向LLC電源模塊，儲能PCS-Buck-Boost電路，光儲一體機,PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領(lǐng)域。

基本半導體全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，F(xiàn)ull SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC)，空調(diào)熱泵驅(qū)動，機車輔助電源，儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機，超高頻伺服驅(qū)動器，高速電機變頻器等. 光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓撲逆變模塊。儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲碳化硅MOSFET。

基本半導體第二代全碳化硅MOSFET主要有B2M075120H，B2M075120Z，B2M075120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M020120H，B2M020120Z，B2M020120R，B2M1000170H，B2M1000170Z，B2M1000170R，B2M0242000Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊，半橋SiC MOSFET模塊，ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，T型三電平模塊，MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。

NPC（Neutral Point Clamped）三電平拓撲結(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用最為廣泛的多電平拓撲結(jié)構(gòu)。近年來隨著電力電子技術(shù)在電力行業(yè)的發(fā)展，NPC三電平技術(shù)開始越來越多的應(yīng)用到各個領(lǐng)域，包括光伏逆變器、風電變流器、高壓變頻器、UPS、APF/SVG、高頻電源等都有著廣泛的應(yīng)用。NPC拓撲最常用的有兩種結(jié)構(gòu)，就是我們常說的“I”字型（也稱NPC1）和“T”字型（也稱NPC2、MNPC、TNPC、NPP等）。另外ANPC也是一種NPC1的改進型，這些年隨著器件的發(fā)展，ANPC也開始有一些適合的應(yīng)用。

在分時電價完善、峰谷電價差拉大、限電事件頻發(fā)等多重因素驅(qū)動下，工商業(yè)儲能的經(jīng)濟性明顯提升。工商業(yè)儲能是用戶側(cè)儲能系統(tǒng)的主要類型之一，可以最大化提升光伏自發(fā)自用率，降低工商業(yè)業(yè)主的電費開支，助力企業(yè)節(jié)能減排。

工商業(yè)儲能裝機有望在政策鼓勵、限電刺激、電價改革等利好因素刺激下進入高速增長期，復合增速有望持續(xù)飆升。 

基本半導體混合IGBT單管在工商業(yè)儲能PCS變流器中的應(yīng)用指南：

工商業(yè)儲能PCS變流器：

1、主要功率點位：35kW、50kW、70kW（35kW兩模塊并）、100kW（50kW模塊兩并）、125kW（62.5kW模塊兩并），功率點位的選擇主要取決于電池容量，都是標準值；

2、T型三電平是主流方案，出于競爭力考量，采用分立器件IGBT；T型三電平的開關(guān)頻率，目前主要在16-20kHz之間

3、35kW單機方案：TO-247封裝單管IGBT是現(xiàn)階段主力，橫管用650V 50AIGBT兩并聯(lián)，豎管用1200V 40A IGBT 3顆并聯(lián)或者1200V 25A IGBT 4顆并聯(lián)。

4、單機功率要躍遷到50kW和62.5kW，純硅IGBT的并聯(lián)個數(shù)太多，不符合客戶的利益要求，功率越往上走，客戶有很強的動力減少IGBT單管的數(shù)量，混合IGBT具有明顯的應(yīng)用優(yōu)勢，橫管豎管都使用混合IGBT，可以最大限度壓低IGBT開通電阻，降低IGBT開關(guān)損耗，最大限度發(fā)揮混管的性能?？蛻魧GBT的開通關(guān)斷電阻分開，如果橫管跟豎管同時選擇混管，理論上可以將開通電阻調(diào)到0Ω，大大降級IGBT的損耗，這么一來，可以縮小混管跟全碳MSOFET在這種方案中的差距，最大程度發(fā)揮混管的性能。1200V碳化硅MOSFET的方案現(xiàn)階段評估成本還太高，無法干過混管。混管在現(xiàn)有方案中具有較強的發(fā)展?jié)摿蜕Α?/p>

橫管混合IGBT選型推薦：BGH50N65HF1,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,BGH75N65HF1,BGH75N65ZF1

豎管混合IGBT選型推薦：BGH40N120HF1,BGH40N120HS1,BGH75N120HF1,BGH75N120HS1

基本半導體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的方案。該器件將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT（硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封），使IGBT的開關(guān)損耗大幅降低，適用于儲能（ESS）、車載充電器（OBC）、不間斷電源（UPS）、光伏組串逆變器等領(lǐng)域。