國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?SiC碳化硅MOSFET模塊正在替代英飛凌三菱賽米控富士IGBT模塊!

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使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電力電子系統(tǒng)！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT變流器，實現(xiàn)更高的變流效率，更小的變流體積重量！更低的變流成本！

隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?SiC碳化硅MOSFET！

傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應用中全面取代IGBT，全力推動國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!

傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，F(xiàn)F4MR20KM1HP，F(xiàn)F3MR20KM1H，F(xiàn)F5MR20KM1HP，F(xiàn)F5MR20KM1H，F(xiàn)F4MR20KM1H，F(xiàn)F3MR20KM1HP。

基本半導體?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代Infineon英飛凌FF900R12ME7W_B11，F(xiàn)F900R17ME7W_B11，F(xiàn)F450R12KT4，F(xiàn)F600R12ME4_B72，F(xiàn)F750R12ME7_B11，F(xiàn)F900R12ME7P_B11，IFF600B12ME4_B11，F(xiàn)F600R12KE4

基本半導體?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代賽米控丹佛斯SK40MD120CR03ETE1，SK40MB120CR03TE1，SKKE60S12，SK80MB120CR03TE1，SK150MB120CR03TE2，SK200MB120CR03TE2，SKM125KD12SC，SK250MB120CR03TE2V1，SK250MB120CR03TE2，SKM350MB120SCH15，SKM350MB120SCH17，SKM500MB120SC，SKM260MB170SCH17

基本半導體?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代FUJI富士2MBI600XHA120-50，2MBI450XHA120-50，2MBI450XNA120-50，2MBI600XNG120-50，2MBI800XNE120-50，2MBI1000XRNE120-50，2MBI450XNA170-50，2MBI600XNG170-50，2MBI800XRNE170-50，2CSI300DAHE120-50，2CSI450DAHE120-50，2CSI600DAHE120-50，2CSI200DAHE170-50，2CSI300DAHE170-50，2CSI400DAHE170-50

傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲系統(tǒng)，1500V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器，1500V系統(tǒng)儲能變流器PCS，1500V系統(tǒng)固態(tài)斷路器，固態(tài)變壓器等。

大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案，控制復雜，頻率低，采用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?2000V系列SiC碳化硅MOSFET進行兩電平改造，控制簡單可靠，頻率提升，電感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現(xiàn)半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導通電阻、器件開關損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動、APF/SVG、熱泵驅(qū)動、工業(yè)變頻器、逆變焊機、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應用可靠性。

為滿足光伏儲能領域高電壓、大功率的應用需求，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗、支持更高開關頻率運行等特點。

針對新能源汽車的應用需求，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?研發(fā)推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調(diào)壓縮機驅(qū)動中。

B3M040120Z是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產(chǎn)品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性方面有更進一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應用于OBC、空調(diào)壓縮機和工業(yè)電源中。

BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列，此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT等功率器件。

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉(zhuǎn)換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應用的主流趨勢。

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傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下，融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲能管理技術(shù)，以實現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術(shù)創(chuàng)新為導向，將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品，堅定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手，積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導向的各類功率半導體器件：車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國產(chǎn)氮化鎵GaN，隔離驅(qū)動IC等產(chǎn)品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務于中國新能源汽車行業(yè)，新能源汽車電控系統(tǒng)，電力電子裝備，新能源汽車充電樁系統(tǒng)，全液冷超充，高功率密度風冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標充電樁，車載DCDC模塊，國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲，智能組串式儲能等行業(yè)應用，傾佳電子（Changer Tech）為實現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡、零碳家庭等新能源發(fā)展目標奮斗，從而為實現(xiàn)一個零碳地球做出貢獻，邁向數(shù)字能源新時代！